ข้อมูลทั่วไป
ประเภทสัญญาณ
ปริมาตรที่เกี่ยวข้องกับความปลอดภัย
ระดับความสมบูรณ์แบบของความปลอดภัย (SIL) SIL 2
จําหน่าย
หน่วยเชื่อมต่อ 14+, 15 หรือ โมดูลการให้พลังงาน/ Power Rail
ความดันเฉพาะ 20... 30 V DC
Ripple ภายในความอนุญาตในการให้บริการ
การสูญเสียพลังงาน ≤ 0.98 W
การบริโภคพลังงานสูงสุด 0.98 W
อินเตอร์เฟซ
โปรแกรมอินเตอร์เฟซ โปรแกรมซ็อต
หน่วยงาน
ด้านสนามด้านเชื่อมต่อ
สายพานเชื่อมต่อ 1, 2, 3, 4
RTD แบบ Pt10, Pt50, Pt100, Pt500, Pt1000 (EN 60751: 1995)
ประเภท Pt10GOST, Pt50GOST, Pt100GOST, Pt500GOST, Pt1000GOST (6651-94)
ประเภท Cu10, Cu50, Cu100 (P50353-92)
ประเภท Ni100 (DIN 43760)
การวัดกระแสประมาณ 200 μA ด้วย RTD
ประเภทการวัดการเชื่อมต่อ 2- 3- 4 สาย
ความต้านทานเชื้อเพลิงสูงสุด 50 Ω ต่อเส้น
การติดตามวงจรวัด การแตกของเซ็นเซอร์ การตัดสั้นของเซ็นเซอร์
เทอร์โมคอปเปอร์ชนิด B, E, J, K, N, R, S, T (IEC 584-1: 1995)
ประเภท L (DIN 43710: 1985)
ประเภท TXK, TXKH, TXA (P8.585-2001)
การชําระค่าตอบแทนของหนาวหนาวภายนอกและภายใน
การติดตามวงจรการวัด การแตกของเซ็นเซอร์
โปเทนติโอเมตร 0... 20 kΩ (เชื่อมต่อ 2 สาย) 0.8... 20 kΩ (เชื่อมต่อ 3 สาย)
ความดันที่เลือกได้ในช่วง -100... 100 mV
ความต้านทานการเข้า ≥ 1 MΩ (-100... 100 mV)
ผลิต
ด้านควบคุมด้านเชื่อมต่อ
การออกเชื่อมต่อ I: ทอร์มิเนล 7: แหล่ง (-), ซิง (+), ทอร์มิเนล 8: แหล่ง (+), ทอร์มิเนล 9: ซิง (((-)
การออกอัตราต่อเนื่องแบบแอนาล็อก
ระยะกระแสปัจจุบัน 0... 20 mA หรือ 4... 20 mA
อัตราการปรับสัญญาณความผิดพลาด 0 หรือ 2 mA, อัตราการปรับสัญญาณความผิดพลาด 21.5 mA (ตาม NAMUR NE43)
ความจุของแหล่ง 0... 550 Ω
ความดันในวงจรเปิด ≤ 18 V
ความแรงดันซิงค์ผ่านปลาย 5... 30 V หากกระแสไฟฟ้าถูกให้จากแหล่ง > 16.5 V
ความต้านทานในชุด ≥ (V - 16.5)/0.0215 Ω ต้องการ โดยที่ V คือความกระชับกําลังของแหล่ง
ค่าสูงสุดของความต้านทานคือ (V - 5) / 0.0215 Ω
ลักษณะการโอน
การเบี่ยงเบน
หลังจากการปรับ Pt100: ± (0.06 % ของค่าวัดใน K + 0.1 % ของ span + 0.1 K (4 สายเชื่อมต่อ))
เทอร์โมคอปเปอร์: ± (0.05 % ของค่าการวัดใน °C + 0.1 % ของ span + 1 K (1.2 K สําหรับประเภท R และ S)) รวมถึง ± 0.8 K ความผิดพลาดของการชําระค่าต่อหนาว
mV: ± (50 μV + 0.1% ของ span)
พันธมิตร: ± (0.05 % ของขนาดเต็ม + 0.1 % ของความกว้าง (ไม่รวมความผิดพลาดเนื่องจากความต้านทานของ鉛)
อิทธิพลของอุณหภูมิบริเวณ Pt100: ± (0.0015 % ของค่าการวัดใน K + 0.006 % ของ span) /K ΔTamb*)
เทอร์โมคอปเปอร์: ± (0.02 K + 0.005 % ของค่าการวัดใน °C + 0.006 % ของ span) /K ΔTamb*) รวมถึงอิทธิพลของการชดเชยการต่อหนาว (CJC)
mV: ± (0.01 % ของค่าวัด + 0.006 % ของ span) /K ΔTamb*)
พันธมิตร: ± 0.006 % ของ span/K ΔTamb*)
*) ΔTamb = การเปลี่ยนแปลงอุณหภูมิแวดล้อมที่อ้างอิงถึง 23 °C (296 K)
ผลกระทบของแรงกระหน่ําไฟฟ้า < 0.01 % ของความยาว
ผลกระทบของภาระ ≤ 0.001 % ของมูลค่าผลิตต่อ 100 Ω
ค่าเวลาปฏิกิริยาในกรณีที่เลวร้ายที่สุด (เปิดการตรวจสอบการแตกของเซ็นเซอร์และ/หรือการตรวจสอบวงจรสั้นของเซ็นเซอร์)
mV: 1 s, เทอร์โมคอปเปอร์ที่มี CJC: 1.1 s, เทอร์โมคอปเปอร์ที่มีอุณหภูมิมาตรฐานคงที่: 1.1 s, RTD 3 หรือ 4 สาย: 920 ms, RTD 2 สาย: 800 ms, โพเทนติโอเมตร: 2.05 s